特許
J-GLOBAL ID：200903041500488291
半導体単結晶製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017430
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188494
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 荷重検出器を用いた重量式直径制御方法をワイヤ方式による結晶引き上げ機構に適用し、単結晶重量を正確に計測できるようにする。【構成】 引き上げワイヤ4、ワイヤ巻き取りドラム21を含むワイヤ巻き取り機構20を荷重検出器2の荷重印加点に回転自在に吊り下げる。荷重検出器2には成長中の単結晶重量とワイヤ巻き取り機構の重量とが荷重の釣り合いとして作用する。また、荷重検出器の垂直方向中心線6、ワイヤ巻き取りドラム21の回転軸、ワイヤ巻き取り機構20の回転軸および単結晶引き上げ軸を一致させ、それらの全体の重心が荷重検出器の垂直方向中心線上にあるようにした。単結晶引き上げ時のワイヤ巻き取りに伴うワイヤ巻き取り機構の重心移動は引き上げワイヤの直径変動分だけである。従って、ワイヤ巻き取り機構の回転による単結晶引き上げ軸の偏心は十分に小さく、安定した単結晶の引き上げと重量測定が可能となる。
請求項（抜粋）：
単結晶に回転と移動とを伝達する引き上げワイヤと、ワイヤ巻き取り機構およびワイヤ巻き取り機構を単結晶引き上げ軸を回転軸として回転させる回転機構とを備えた半導体単結晶製造装置において、単結晶の直径を制御するために単結晶重量を検出する荷重検出器の荷重印加点に前記ワイヤ巻き取り機構を吊り下げる構造としたことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
IPC (3件)：
C30B 15/28
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
