特許
J-GLOBAL ID：200903041513094861
磁気センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-093175
公開番号（公開出願番号）：特開2003-294818
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：
【要約】【課題】 磁気センサおよびその製造方法に関し、磁気収束板と感磁部との位置関係による検出感度の変化を抑制すること。【解決手段】 表面に磁気検出素子1が形成された半導体基板5上に感磁部10とオーバーラップさせてガイド用磁気収束板3を形成する。ガイド用磁気収束板3が形成された該半導体基板5上に接着剤7の層を積層する。接着剤7の層上に、積層方向から見て感磁部10と所定部位をオーバーラップさせるように、メイン磁気収束板2を積層する。
請求項（抜粋）：
基板上で磁束を検知する感磁部と該感磁部に磁束を収束させるための第1の磁気収束板が所定距離離間して配置されてなる磁気センサにおいて、前記感磁部の近傍であって前記感磁部を基準として前記第1の磁気収束板と同一側の所定位置、または前記感磁部の近傍であって前記感磁部を基準として前記第1の磁気収束板と反対側の所定位置に、前記第1の磁気収束板によって収束された磁束を前記感磁部に案内するための第2の磁気収束板を備えたことを特徴とする磁気センサ。
IPC (4件)：
G01R 33/02
, G01R 33/07
, H01L 43/06
, H01L 43/14
G01R 33/02 V
, H01L 43/06 P
, H01L 43/06 S
, H01L 43/14
, G01R 33/06 H
2G017AA01
, 2G017AC07
, 2G017AD53
, 2G017AD65
