特許
J-GLOBAL ID：200903041514040900
配線基板とその製造方法並びにそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081565
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280490
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 高速で動作するLSIの実装に対応できるとともに多層化が容易であり、更に実装後の補修が容易な配線基板(特にインターポーザ)を提供する。【解決手段】 Siからなる基板1と、基板1の第1の面1aに表出する電極2と、基板1の第2の面1bに開口し電極2に達する穴4とを有し、この穴4は第1の面1a側から第2の面1bの開口部近傍にかけて口径が徐々に拡大するテーパを、第2の面1bの開口部近傍では口径が縮小する逆テーパをそれぞれ有し、穴4内壁は絶縁膜5を介して導体膜6が被着されており、導体膜6は電極2と導通しており、穴4内で導体膜6と接合し且つ一部が第2の面1bより突出する導体ボール8を有する配線基板とする。
請求項（抜粋）：
第1の面と第2の面を有するシリコンからなる基板と、前記第1の面に表出する電極と、前記基板に設けられ前記第2の面に開口し前記電極に達する穴と、を有し、前記穴は、前記第1の面側から前記第2の面の開口部近傍にかけて口径が徐々に拡大するテーパを有し、前記第2の面の開口部近傍において口径が縮小する逆テーパを有し、前記穴の内壁は、絶縁膜で被覆された上に、更に導体膜で被覆されており、前記導体膜は前記電極と導通していることを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 1/11 H
, H01L 23/14 S
5E317AA24
, 5E317BB12
, 5E317BB13
, 5E317BB14
, 5E317CC25
, 5E317CC31
, 5E317CD32
, 5E317GG16
