特許

J-GLOBAL ID：200903041515857358

II-VI族化合物半導体の表面処理方法およびその処理液

発明者： 大木 明 ,  大野 哲一郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040609
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242131
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル成長に適した清浄な表面状態を比較的低温で実現できる表面処理技術を確立し、成長界面での欠陥発生が抑制された高品質なII-VI族化合物薄膜の成長を実現する、II-VI族化合物半導体の表面処理方法およびその処理液を提供することを目的とする。【解決手段】3〜12wt%の範囲、好ましくは4〜11wt%の範囲の濃度の重クロム酸カリウム水溶液と硫酸の混合液(混合比1対0.5〜3)による化学エッチングを行い、かつ水素ガスの還元作用を利用してエピタキシャル成長に適した清浄な表面を得るII-VI族化合物半導体薄膜表面の表面処理方法およびその処理液を用いる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体薄膜表面の表面処理方法において、3wt%から12wt%の範囲内の濃度の重クロム酸カリウム水溶液と硫酸の混合液による化学エッチングを行い、かつ水素ガスの還元作用を利用して表面処理を行うことを特徴とするII-VI族化合物半導体の表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/308 C ,  H01L 21/304 341 L