特許

J-GLOBAL ID：200903041517136577

多層配線形成方法および構造

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047777
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222632
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 化学的機械研磨処理によるメタルプラグ形成時にプラグ分布の疎な部分に形成される過剰研磨による凹みの発生を防止し、層間絶縁膜上に均一な平坦面が得られる多層配線形成方法および多層配線構造を提供する。【構成】 下層配線層101上に層間絶縁膜102を形成し、該層間絶縁膜に前記下層配線層に連通する開口部103を形成する工程と;前記開口部を含んで前記層間絶縁膜上全面にメタル膜105を形成する工程と;前記層間絶縁膜上のメタル膜を化学的機械研磨処理により前記開口部内を残して除去し該開口部内にメタルプラグ106を形成する工程と;前記層間絶縁膜上に前記開口部内のメタル材料に接続する上層配線層108を形成する工程とを含む多層配線形成方法において、前記層間絶縁膜上全面にメタル膜を形成する前に、開口部の分布が疎な部分の層間絶縁膜にダミーの開口部103’を形成する。

請求項（抜粋）：

下層配線層上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に前記下層配線層に連通する開口部を形成する工程と;前記開口部を含んで前記層間絶縁膜上全面にメタル膜を形成する工程と;前記層間絶縁膜上のメタル膜を化学的機械研磨処理により前記開口部内を残して除去し該開口部内にメタルプラグを形成する工程と;前記層間絶縁膜上に前記開口部内のメタル材料に接続する上層配線層を形成する工程とを含む多層配線形成方法において、前記層間絶縁膜上全面にメタル膜を形成する前に、開口部の分布が疎な部分の層間絶縁膜にダミーの開口部を形成することを特徴とする多層配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-255725   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-356969   出願人：ソニー株式会社