CMOS集積回路の製造に用いるゲルマニウム・エピタキシャル膜を絶縁体上で成長させる方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-124465
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344941
出願日： 2006年04月27日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】 SOIおよびGOIの両部分に対して用いられるCMOSの製造方法を好適に提供すること。【解決手段】本発明によるシリコンベースのCMOSを製造する方法は、シリコン基板ウェハを用意する工程(12)、シリコン基板ウェハ上に絶縁層を堆積させる工程(14)、絶縁層をパターニングおよびエッチングする工程(16)、絶縁層上およびシリコン基板ウェハの少なくとも一部の上に多結晶ゲルマニウムの層を堆積させる工程(18)、多結晶ゲルマニウムをパターニングおよびエッチングする工程(20)、絶縁材料を用いて多結晶ゲルマニウムを被覆する工程(22)、多結晶ゲルマニウムの溶解に十分な温度でウェハを短時間アニールする工程(24)、ウェハを冷却して多結晶ゲルマニウムの液相エピタキシを促す工程(26)、これにより単結晶ゲルマニウム層を形成する工程、CMOSデバイスを完成させる工程(28)を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンゲルマニウムCMOSを製造する方法であって、シリコン基板ウェハを用意する工程と、該シリコン基板ウェハ上に絶縁層を堆積させる工程と、該絶縁層をパターニングおよびエッチングする工程と、該絶縁層上、および、該シリコン基板ウェハの少なくとも一部の上に、多結晶ゲルマニウムの層を堆積させる工程と、該多結晶ゲルマニウムを絶縁層を用いて被覆する工程と、該多結晶ゲルマニウムが溶解するのに十分な温度まで、該ウェハを短時間アニールする工程と、該ウェハを冷却して該多結晶ゲルマニウムの液相エピタキシを促し、これにより単結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、該CMOSデバイスを完成させる工程とを含む、方法。

IPC (11件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 27/08 , H01L 27/12 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/208 , H01L 29/786 , H01L 27/00

FI (10件)：

H01L27/08 321C , H01L27/08 321G , H01L27/08 331E , H01L27/12 Z , H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L21/208 Z , H01L29/78 613B , H01L27/00 301A

Fターム (73件)：

4M104AA02 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB19 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG10 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA09 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048CB01 , 5F048CB10 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F053AA22 , 5F053AA50 , 5F053BB04 , 5F053BB12 , 5F053DD20 , 5F053GG01 , 5F053GG06 , 5F053HH04 , 5F053PP03 , 5F053PP07 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG42 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK34 , 5F110HK40 , 5F110HM07 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN33 , 5F110NN74 , 5F110QQ08

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