半導体集積回路装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-005375
公開番号（公開出願番号）：特開平10-187270
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【目的】高速性と低消費電力の要求を満たす半導体集積回路装置を提供すること。【構成】半導体基板上に形成されたトランジスタMp,Mnにより構成された主回路1と、トランジスタの基板電位を制御する基板バイアス回路2ー1、2ー2と、主回路に供給されるクロック信号の周波数を制御するクロック制御回路3を有し、動作モード切換信号Aに基づいて基板バイアス回路とクロック制御回路を制御する半導体集積回路装置であって、動作モード切換信号Aは通常動作モードと低消費電力モードの2つの状態を少なくとも有し、低消費電力モードにおいては通常動作モードよりもトランジスタのしきい値が大きくなるように基板バイアス回路を制御するとともに、通常動作モードよりもクロック信号の周波数が低くなるようにクロック制御回路を制御し、低消費電力モードでは通常動作モードよりも低速でトランジスタをスイッチングさせることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたトランジスタにより構成された主回路と、該トランジスタの基板電位を制御する基板バイアス回路と、上記主回路に供給されるクロック信号の周波数を制御するクロック制御回路を有し、動作モード切換信号に基づいて前記基板バイアス回路と前記クロック制御回路を制御する半導体集積回路装置であって、上記動作モード切換信号は通常動作モードと低消費電力モードの2つの状態を少なくとも有し、低消費電力モードにおいては通常動作モードよりも前記トランジスタのしきい値が大きくなるように上記基板バイアス回路を制御するとともに、通常動作モードよりもクロック信号の周波数が低くなるように上記クロック制御回路を制御し、上記低消費電力モードでは上記通常動作モードよりも低速で上記トランジスタをスイッチングさせることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

G06F 1/04 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 19/094

FI (5件)：

G06F 1/04 301 C , H01L 27/04 G , H01L 27/06 102 F , H01L 27/08 321 D , H03K 19/094 D

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-082151
特開平1-134616
特開昭63-163912

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