特許
J-GLOBAL ID：200903041521606260
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316634
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169856
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、写真製版において、設計値通りに製造することのできるように改良されたスタティックランダムアクセスメモリを得ること。【構成】 活性領域16と、第1および第2のメモリセルのグラウンド線43とを接続するための第2直接コンタクト27が、第1のメモリセルと第2のメモリセルとの境界に設けられている。第2直接コンタクト27は、複数個に分割されている(27a,27b)。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の主表面中に設けられた活性領域と、前記半導体基板の上に設けられた、第1のメモリセルと該第1のメモリセルに隣接する第2のメモリセルと、を備え、前記第1のメモリセルと前記第2のメモリセルのそれぞれは、前記活性領域の上に設けられたアクセストランジスタおよびドライバトランジスタと、前記半導体基板の上方に設けられた薄膜トランジスタで形成されたロードトランジスタとを含み、前記活性領域と、前記第1および第2のメモリセルのグラウンド線とを接続するための第2直接コンタクトが、前記第1のメモリセルと前記第2のメモリセルとの境界に設けられており、前記第2直接コンタクトは、複数個に分割されている、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
