特許
J-GLOBAL ID：200903041531143985
薄膜半導体装置の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002060
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204815
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】基板上の金属や半導体薄膜にレーザ加工によるダメージを生じさせない薄膜半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】被加工物にレーザビームLbを照射するレーザ光源22と、被加工物を装着し、レーザ光源に相対的に移動するxyステージ21を備えたレーザ加工装置を用いて、前記被加工物である絶縁性の基板1 上の両面に形成された半導体や金属などの薄膜にレーザ加工により除去部分を形成する薄膜半導体装置の製造方法において、前記xyステージの移動の定速領域の前後に付随する加減速領域では、例えばシャッター2sによりレーザ光を遮断してまたは発振停止して前記薄膜に照射させないこととする。
請求項（抜粋）：
被加工物にレーザビームを照射するレーザ光源と、被加工物が配置され、レーザ光源に相対的に移動するxyステージとを備えたレーザ加工装置を用いて、前記被加工物である絶縁性の基板上の両面に形成された半導体や金属などの薄膜にレーザ加工により除去部分を形成する薄膜半導体装置の製造方法において、前記xyステージの移動の定速領域の前後に付随する加減速領域では、レーザ光を遮断または発振停止して前記薄膜に照射させないことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, B23K 26/00
, H01L 21/302
H01L 31/04 S
, B23K 26/00 C
, H01L 21/302 Z
