特許
J-GLOBAL ID：200903041533624107
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-101614
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314722
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 絶縁膜上のバリアメタル膜の密着性を向上させた信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板11面に形成されたBPSG膜12の上面に組成比がTiSi2 であるTi-Si膜13を成膜するようにし、さらにTi-Si膜13の上面に順にTi膜15とTiN膜16を成膜したTiN/Ti系のバリアメタル膜14を積層し、またさらにバリアメタル膜14上に電極配線17を備えている。このためバリアメタル膜14がTi-Si膜13を間に介在させてBPSG膜12に密着し、直接にBPSG膜12に密着することがなくなる。これによりバリヤメタル膜14のコンタクト抵抗を低減するための熱処理を行っても、バリアメタル膜14を構成する金属元素のTiによってBPSG膜12の界面近傍の組織が脆弱化されることがなくなり、剥離が発生しなくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板面に形成された酸化シリコン系絶縁膜と、この酸化シリコン系絶縁膜上に成膜された金属シリサイド膜と、この金属シリサイド膜上に成膜されたバリアメタル膜と、このバリアメタル膜上に設けられた電極配線とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/28 301
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
