特許

J-GLOBAL ID：200903041543357077

コンタクト孔の形成方法

発明者： 飯塚 勝彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121395
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316171
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 コンタクト孔の深さにかかわらず、異方性エッチ部分の長さをほぼ等しく形成できるようにし、金属配線の埋め込みを容易にする。【構成】 シリコン基板(11)上に形成したSiO2からなる絶縁膜(13)上に開口を有するレジスト膜(15)を形成し、異方性エッチングによりコンタクト孔(15A,15B)を形成し、フッ素系ガスのプラズマ放電により前記コンタクト孔(15A,15B)の底からポリマ膜(16)を堆積し、前記絶縁膜(13)を等方性エッチングし、前記レジスト膜(14)およびポリマ膜(16)を除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成したSiO2からなる絶縁膜上に開口を有するレジスト膜を形成する工程と、異方性エッチングによりコンタクト孔を形成する工程と、フッ素系ガスのプラズマ放電により前記コンタクト孔内にポリマ膜を堆積する工程と、前記絶縁膜を等方性エッチングする工程と、前記レジスト膜およびポリマ膜を除去する工程とを有することを特徴とするコンタクト孔の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/28 U ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/306 F