特許
J-GLOBAL ID：200903041546461967
配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234964
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079430
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 電極層に損傷を与えず、接触抵抗が増大しない配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 この発明の配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法は、シリコン酸化膜16を選択的に除去することによってシリコン窒化膜15の表面を露出させる孔19aとシリコン窒化膜9aの表面を露出させる孔20aとを形成する工程と、シリコン窒化膜15、9aを選択的に除去することによって孔19aに通じ不純物領域13に達する孔19bを形成するとともに孔20aに通じかつゲート電極層10の表面に達する孔20bを形成する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に第1と第2と第3の電極層を互いに距離を隔てて形成する工程と、前記第3の電極層の上部表面上に第1のシリコン窒化物層を形成する工程と、前記第1と第2の電極層の間であって前記半導体基板の表面に不純物領域を形成する工程と、前記第1と第2の電極層の側壁と前記不純物領域とを覆う第2のシリコン窒化物層を形成する工程と、前記半導体基板と、前記第1と第2と第3の電極層と、前記第1と第2のシリコン窒化物層とを覆うシリコン酸化物層を形成する工程と、前記シリコン酸化物層を選択的に除去することによって、前記第2のシリコン窒化物層の表面を露出させる第1の孔と前記第3の電極層の上に形成された第1のシリコン窒化物層の表面を露出させる第2の孔とを前記シリコン酸化物層に形成する工程と、前記シリコン酸化物層をマスクとして用いて前記第1と第2のシリコン窒化物層を選択的に除去することによって、前記第1の孔に通じかつ前記不純物領域の表面に達する第3の孔を前記第2のシリコン窒化物層に形成するとともに、前記第2の孔に通じかつ前記第3の電極層の表面に達する第4の孔を前記第1のシリコン窒化物層に形成する工程と、前記第1と第3の孔を充填し、前記不純物領域に電気的に接続された第1の配線層を形成する工程と、前記第2と第4の孔を充填し、前記第3の電極層に電気的に接続された第2の配線層を形成する工程とを備えた、配線層コンタクト構造を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/90 D
, H01L 29/78 301 X
