特許
J-GLOBAL ID：200903041547978858
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248733
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060228
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】 低抵抗のシリコンから成る基板11の上にAlxInxGa1-x-yNから成る第1の層12aとAlaInbGai-a-bNから成る第2の層12bとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層12を設ける。バッファ層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体層13、窒化ガリウム インジウムからなる活性層14、窒化ガリウムから成るp形半導体層15を順次に形成する。p形半導体層15の上にアノード電極17を設け、基板11にカソード電極18を設ける。
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体を含んでいる半導体発光素子であって、不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板と、前記基板の一方の主面上に配置されたバッファ層と、発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置された複数の窒化物系化合物半導体層を含んでいる半導体領域と、前記半導体領域の表面上に配置された第1の電極と、前記基板の他方の主面に配置された第2の電極とを備えており、前記バッファ層は、化学式 Al<SB>x</SB>In<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>Nここで、x、yは、0<x≦1、0≦y<1、x+y≦1を満足する数値、で示すことができる材料から成る第1の層と化学式 Al<SB>a</SB>In<SB>b</SB>Ga<SB>1-a-b</SB>Nここで、a、bは、0≦a<1、0≦b<1、a+b≦1を満足する数値、で示すことができる材料から成り且つ前記第1の層よりも小さいバンドギャップを有している第2の層との複合層から成り、前記第1の層と第2の層の少なくとも一方にIn(インジウム)が含まれていることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA24
, 5F041AA31
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CB33
