特許

J-GLOBAL ID：200903041550440150

半導体素子

発明者： 榊原 勝利
出願人/特許権者： 光計測技術開発株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-045991
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015026
出願日： 1991年02月19日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 p型InP層と金属電極との接触抵抗を小さくする。【構成】 p型InP層2と金属電極4との間に混晶比xがほぼ0.47から0まで段階的に変化するp型のGax In1-x Asコンタクト層3を備える。

請求項（抜粋）：

p型InP層と、このp型InP層に電気的に接続される金属電極とを備えた半導体素子において、前記p型InP層と前記金属電極との間に、前記p型InP層から前記金属電極に向かって混晶比xがほぼ0.47から0まで段階的に変化するp型のGax In1-x Asコンタクト層を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-199825
  
• 特開昭62-062566