特許
J-GLOBAL ID：200903041553199291

希土類焼結磁石の製造方法および希土類焼結磁石

発明者：
細野 宇礼武

細野 宇礼武 について

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佐々木 史郎

佐々木 史郎 について

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佐川 眞人

佐川 眞人 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について

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インターメタリックス株式会社

インターメタリックス株式会社 について


代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-214595
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031432
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】パルス磁場で配向させた後で静水圧プレスにより成形体を得る希土類焼結磁石の製造方法において、高保磁力の希土類磁石合金を用いた場合も配向率を向上させ、高性能の磁石を得る。【解決手段】水素を吸蔵させて低保磁力化させた希土類磁石合金を粉末化し、該粉末をパルス磁場によって配向させた後静水圧プレスにて成形体とし、さらに該成形体を脱水素処理して、その後成形体の焼結および時効処理を行い、希土類焼結磁石を製造する。
請求項（抜粋）：
水素を吸蔵させて低保磁力化させた希土類磁石合金を粉末化し、該粉末をパルス磁場によって配向させた後静水圧プレスにて成形体とし、さらに該成形体を脱水素処理して、その後成形体の焼結および時効処理を行う希土類焼結磁石の製造方法。
IPC (6件)：
H01F 41/02 ,  B22F 3/00 ,  B22F 3/02 ,  B22F 3/24 ,  H01F 1/08 ,  C22C 38/00 303
FI (6件)：
H01F 41/02 G ,  B22F 3/00 F ,  B22F 3/02 R ,  B22F 3/24 B ,  H01F 1/08 B ,  C22C 38/00 303 D
Fターム (19件)：
4K018AA27 ,  4K018AB10 ,  4K018CA04 ,  4K018FA08 ,  4K018KA45 ,  5E040AA04 ,  5E040AA19 ,  5E040BD01 ,  5E040CA01 ,  5E040HB03 ,  5E040HB07 ,  5E040NN01 ,  5E040NN12 ,  5E040NN18 ,  5E062CD05 ,  5E062CF04 ,  5E062CG02 ,  5E062CG03 ,  5E062CG05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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