特許

J-GLOBAL ID：200903041553586589

誘電率変化方法、その方法を利用した光可変容量コンデンサ、紫外線センサ及び磁気センサ

発明者： 武貞 正樹 ,  腰原 伸也 ,  石川 忠彦 ,  八木 駿郎 ,  伊藤 満 ,  栗田 雅章 ,  下田 寛明
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247809
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209266
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 誘電体結晶の固有の誘電率を極めて高くする方法、誘電体結晶の誘電率を所望の誘電率に制御する方法、及びこの方法を利用した小型で信頼性の高い可変容量コンデンサ、紫外線センサ及び磁気センサを提供する。【解決手段】 量子常誘電体結晶または強誘電体結晶である誘電体結晶を相転移温度近傍の温度に保ち、結晶のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーの光を照射すると共に電場または磁場を印加し、誘電体結晶の協力的相互作用が極めて強く起こる光励起状態を誘起して光の強度に比例した極めて大きな誘電率を得ると共に、光の強度、電場、磁場によって誘電率を制御する。

請求項（抜粋）：

誘電体結晶を所定の温度に保ち、この誘電体結晶に誘電体結晶のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーの光を照射すると共に電場を印加し、上記誘電体結晶の誘電率を変化させることを特徴とする、誘電率変化方法。

IPC (6件)：

H01L 31/00 ,  G01R 33/02 ,  H01G 7/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (5件)：

G01R 33/02 A ,  H01G 7/00 Z ,  H01L 21/316 P ,  H01L 31/00 B ,  H01L 27/04 C

Fターム (16件)：

2G017AA01 ,  2G017AD69 ,  5F038AC04 ,  5F038AC15 ,  5F038AV01 ,  5F038AV03 ,  5F038AZ07 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F088AA20 ,  5F088AB01 ,  5F088BA15 ,  5F088BB10 ,  5F088LA05

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ”誘電体結晶における構造相転移の光誘起効果”