面発光半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013912
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204280
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】垂直共振器型面発光半導体レーザにおいて、発熱による性能の劣化のない、電圧制御で発振波長を変化させることのできる垂直共振器型面発光半導体レーザを提供する。【構成】 n形GaAs基板101上にn形GaAs/AlAsミラー102、InGaAs/GaAs量子井戸103を含む活性層104、電圧制御層となるp形GaAs層105、 p形GaAs/AlAsミラー106を順次積層している。また、活性領域107の膜厚は光学長で発振波長の整数倍になっている。108はイオン注入領域である。109はn形電極である。110はp形電極であり、接地されている。111はショットキー電極であり、印加電圧により空乏層を制御することで屈折率を変化させ、発振波長を変化させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に順次積層された第1の半導体多層膜ミラー、共振器を構成する活性領域とを含むエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に積層された第2の多層膜ミラーとを備え、前記活性領域が、pn接合を含み発光層である活性層と、電圧を印加することにより屈折率が変化する電圧制御層とを備えていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

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