特許
J-GLOBAL ID：200903041562802766
光検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036791
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230442
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 安価かつ容易に製造でき、高温環境下でも動作可能な光検出素子を提供する。【解決手段】 基板11と、基板11上にエピタキシャル成長させることによって形成された半導体層12と半導体層12上に形成された絶縁膜13および上部電極14と、基板11の裏面側に形成された裏面電極15とを備える。半導体層12は、基板11側から順次積層された第1の3C-SiC(立方晶系炭化珪素)層16と第2の3C-SiC層17とを含む。
請求項（抜粋）：
Si基板上にエピタキシャル成長させることによって形成された半導体層を備える光検出素子であって、前記半導体層は、積層された第1の3C-SiC層と第2の3C-SiC層とを含み、前記第1の3C-SiC層がp形またはn形の導電形を有し、前記第2の3C-SiC層が前記第1の3C-SiC層の導電形と反対の導電形を有することを特徴とする光検出素子。
Fターム (16件)：
5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MB03
, 5F049NA04
, 5F049NA18
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049QA03
, 5F049QA20
, 5F049SE02
, 5F049SE05
, 5F049SS03
, 5F049SS09
, 5F049SZ13
, 5F049WA03
, 5F049WA05
