特許
J-GLOBAL ID：200903041564571150
強誘電体のドメイン反転構造形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096571
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297430
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体に荷電粒子線を照射する方法で、ドメイン反転構造を確実に、そして特に強誘電体表面近傍において確実に形成する。【構成】 単分極化されたLiNbO3 基板1に電子線ビーム4を照射して、その照射方向に延びるドメイン反転部5を形成する。その際、電子線ビーム4が照射される基板表面(-z面)1aに、LiNbO3 よりも電気抵抗が高いSiO2 膜2を堆積しておく。
請求項（抜粋）：
単分極化された強誘電体に荷電粒子線を照射して、この照射方向に延びるドメイン反転部を形成する方法において、前記荷電粒子線が照射される強誘電体の表面部分に、該強誘電体よりも電気抵抗が高い高抵抗層を堆積しておくことを特徴とする強誘電体のドメイン反転構造形成方法。
IPC (3件)：
G02F 1/37
, G02B 6/12
, H01S 3/109
