特許

J-GLOBAL ID：200903041566732991

半導体装置用洗浄剤

発明者： 丸山 岳人 ,  長谷見 隆司 ,  池田 英俊 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221564
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067632
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣物を低温短時間で完全に除去でき、且つ配線材料を腐食しない半導体装置用洗浄剤を提供する。【解決手段】フッ素化合物0.1〜10重量%、水溶性有機溶剤50〜80重量%、残部が水からなる半導体装置用洗浄剤。

請求項（抜粋）：

フッ素化合物を0.1〜10重量%、水溶性有機溶剤を50〜80重量%含有し、残分が水から成ることを特徴とする半導体装置用洗浄剤。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/30 572 B ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 341 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト用剥離液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179872   出願人：東京応化工業株式会社