特許

J-GLOBAL ID：200903041567053362

半導体装置の製造方法

発明者： 對馬 幸治
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215657
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041018
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 ウエハカセットの摩耗によるウエハカセットからの発塵を防ぐ。【解決手段】 ウエハカセットをウエハを収容する筐体CBと筐体CBの下部に取り付けられた台座PLTとから形成し、台座PLTの表面にはフッ素系樹脂皮膜を形成し、さらにそのフッ素系樹脂皮膜の表面は無電解Ni膜で皮膜することによって耐摩耗性を向上し、ウエハカセットがスパッタリング装置のロードロックチャンバ内のステージ上に配置された際に、そのステージと耐摩耗性が向上した台座PLTとが接するようにする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを収容する搬送用容器を用いて前記半導体ウエハを搬送し、1枚または複数枚の前記半導体ウエハに回路または素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、 前記搬送用容器は、複数枚の前記半導体ウエハを収容する収容部と、前記収容部の下部に取り付けられた台座部とを有し、 前記台座部の表面は摩耗に対する耐性を有する表面保護膜によって皮膜されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/673

FI (1件)：

H01L21/68 V

Fターム (10件)：

5F031CA02 ,  5F031DA08 ,  5F031EA04 ,  5F031EA20 ,  5F031FA01 ,  5F031FA09 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031PA07 ,  5F031PA26