特許

J-GLOBAL ID：200903041568242991

電子素子の高周波特性測定装置及び測定方法

発明者： 清水 直文 ,  石橋 忠夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012217
公開番号（公開出願番号）：特開平11-211785
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】様々な被測定素子に対して、任意のバイアスポイントで、幅広い帯域で、小信号及び大信号の入力に対する素子の応答特性を高時間分解能で評価できる電子素子の高周波特性測定装置及び測定方法を提供することを目的とする。【解決手段】光パルスを発生するファイバレーザ101と、その光パルスの強度を変化させる光強度減衰器104と、連続光を発生する半導体レーザ102と、その連続光の強度を変化させる光アンプ105と、被測定素子110の少なくともいずれかの端子に接続された光電変換素子107と、ファイバレーザ101からの光と半導体レーザ102からの光を同時に光電変換素子107へ入力させるカプラー106とを設ける。

請求項（抜粋）：

光パルスにより電気パルスを発生させ、該電気パルスを入力信号として用いる、電子素子の高周波特性測定装置において、上記光パルスの強度を変化させることのできるパルス光発生装置と、連続光の強度を変化させることのできる連続光発生装置と、上記電子素子の少なくともいずれかの端子に接続された光電変換素子と、上記パルス光発生装置からの光と上記連続光発生装置からの光を同時に上記光電変換素子へ入力させる光学系とを有することを特徴とする電子素子の高周波特性測定装置。