特許

J-GLOBAL ID：200903041572186818

高純度炭化珪素チューブの製造方法

発明者： 杉原 孝臣
出願人/特許権者： 東海カーボン株式会社
代理人 (1件)： 福田 保夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-021252
公開番号（公開出願番号）：特開2001-214267
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：

【要約】【課題】 高純度で緻密性、耐蝕性、強度特性などに優れ、熱処理装置用の各種部材、例えば半導体製造用の拡散炉に用いられるライナーチューブ、プロセスチューブなどの熱処理部材として好適に用いられる高純度炭化珪素チューブの製造方法を提供する。【解決手段】 円筒状黒鉛基材の円筒内に原料ガスを導入して、CVD反応により円筒状黒鉛基材内面にSiC被膜を成膜後黒鉛基材を除去する炭化珪素チューブの製造方法において、原料ガス導入管とガス排気管との間の原料ガス流路内に邪魔板を設け、該邪魔板を原料ガスの流通方向に移動させながらCVD反応を行うことを特徴とする高純度炭化珪素チューブの製造方法。好ましくは、円筒状黒鉛基材内面と邪魔板との間隙を、成膜するSiC被膜の膜厚の3〜7倍に設定する。

請求項（抜粋）：

円筒状黒鉛基材の円筒内に原料ガスを導入して、CVD反応により円筒状黒鉛基材内面にSiC被膜を成膜後黒鉛基材を除去する炭化珪素チューブの製造方法において、原料ガス導入管とガス排気管との間の原料ガス流路内に邪魔板を設け、該邪魔板を原料ガスの流通方向に移動させながらCVD反応を行うことを特徴とする高純度炭化珪素チューブの製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/01 ,  B28B 21/42 ,  C23C 16/32

FI (3件)：

C23C 16/01 ,  B28B 21/42 ,  C23C 16/32

Fターム (6件)：

4G058AA09 ,  4G058AD03 ,  4K030BA37 ,  4K030JA03 ,  4K030KA12 ,  4K030LA11