発光ダイオードアレイ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038468
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232634
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】発光ダイオードの個別電極の数を極力減少させた発光ダイオードアレイを提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上に一導電型を呈する第一の島状半導体層と第二の島状半導体層を第一の島状半導体層の一部が露出するように積層して列状に設け、この第一の島状半導体層と第二の島状半導体層に共通電極または個別電極をそれぞれ接続して設けた発光ダイオードアレイにおいて、前記個別電極を近傍の二つの第一の島状半導体層と二つの第二の島状半導体層ごとに設け、一方の第一の島状半導体層上の第二の島状半導体層と一方の第二の島状半導体層下の第一の島状半導体層とを、他方の第一の島状半導体層上の第二の島状半導体層と他方の第二の島状半導体層下の第一の島状半導体層とは、異なる共通電極に接続した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に一導電型を呈する第一の島状半導体層と第二の島状半導体層を第一の島状半導体層の一部が露出するように積層して列状に設け、この第一の島状半導体層と第二の島状半導体層に共通電極または個別電極をそれぞれ接続して設けた発光ダイオードアレイにおいて、前記個別電極を近傍の二つの第一の島状半導体層と二つの第二の島状半導体層ごとに設け、一方の第一の島状半導体層上の第二の島状半導体層と一方の第二の島状半導体層下の第一の島状半導体層とを、他方の第一の島状半導体層上の第二の島状半導体層と他方の第二の島状半導体層下の第一の島状半導体層とは、異なる共通電極に接続したことを特徴とする発光ダイオードアレイ。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , B41J 2/44 , B41J 2/45 , B41J 2/455

FI (3件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 A , B41J 3/21 L

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