特許

J-GLOBAL ID：200903041585753908

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 宮田 典幸 ,  市川 昌和 ,  渡部 平司
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社日立製作所 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-342476
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176828
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜の形成方法に関し、熱酸化膜のSiO2 /Si界面の原子レベルの荒れを低減する。【解決手段】 シリコン基板1を熱酸化してシリコン酸化膜4を形成する工程の前処理として、原子レベルで平坦な表面2を有するシリコン基板1の表面に保護酸化膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を熱酸化してシリコン酸化膜を形成する工程の前処理として、原子レベルで平坦な表面を有する前記シリコン基板の表面に保護酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 F