特許

J-GLOBAL ID：200903041586643731

薄膜形成方法および薄膜形成装置

発明者： 佐 藤 裕 輔 ,  本 多 恭 章
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071442
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275342
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 基板搬送中における該基板表面への自然酸化膜の形成や水分の吸着を、比較的簡単かつ確実に防止して、基板の表面に高品位の薄膜を安定して形成できるようにしたものを提供する。【構成】 基板の表面に所定の処理を(薄膜を形成)するのに際し、前工程における処理終了直後に基板の表面に保護膜を形成しておき、基板の表面に所定の処理を(薄膜を形成)するのに先立って、前記予め基板の表面に形成しておいた保護膜を除去することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の基板処理工程における処理終了後に前記基板表面を保護するための保護膜を前記基板表面に形成し、その後第2の基板処理工程の処理前に前記保護膜を除去することを特徴とする薄膜形成方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-149117
  
• 特開平3-201427
  
• 特開平3-041956
  
• 特開平1-181428