特許

J-GLOBAL ID：200903041591847450

半導体装置の洗浄方法と洗浄装置

発明者： 大西 照人 ,  松元 道一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281152
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121388
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 パーテイクル、コンタミネーションを除去する洗浄に於て、処理温度、処理雰囲気、薬液濃度を正確に制御し洗浄処理の安定化を図る。【構成】 処理するウエハ2を回転可能なアーム4上に固定し、上部よりハロゲンランプ1でウエハ2を高温に加熱する。ウエハを回転させながら薬液用スプレーノズル7より混合した薬液をスプレーする。またチャンバ内は窒素ガスポート15より窒素を導入し処理雰囲気を一定にする。【効果】 薬液は通常150°C以下の温度で使用されるが、本発明ではウエハを200°C以上に加熱できるために洗浄(コンタミネーション除去、パーテイクル除去)が短時間で終了し、さらに枚葉で処理するために処理ウエハの温度、処理雰囲気が正確に制御でき洗浄を安定して実施することが出来る。

請求項（抜粋）：

ウエハを加熱する手段と、ウエハを保持する手段と、ウエハ洗浄用薬液をウエハ上に散布する手段とを備え、前記ウエハを一定温度に加熱しながら、室温のウエハ洗浄用薬液をウエハ上に散布させることを特徴とする半導体装置の洗浄方法。