特許
J-GLOBAL ID：200903041592451607
パワーMOSFETスイッチのゲートドライブ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205098
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056145
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【課題】 パワーMOSFETスイッチのゲートドライブを提供する。【解決手段】分離MOSFETゲートドライブにおいては、不慮の接触ターンオンに対する耐性を増強するために、MOSFETのオフ時間において負のゲートバイアスを提供する回路を有する。バイアスは、その自身が2端子の受動ネットワークを含むことにより生成される。このネットワークは接地に対する任意のポテンシャルで流動できる。このバイアスは、外部バイアスによりこの電圧を提供する必要がなく、ゲートドライブ波形に対するネットワークの作用により自動的に生成される。このバイアス供給は局所に配置されて、回路動作に干渉する長い相互接続を不要とする。本発明の実施例によるバイアスネットワークはキャパシタと一定の電圧ブレークダウン特性を有する非線形半導体素子との結合により実現される。この二つの成分による構成は、高集積度なシステムを製造することが可能である。
請求項（抜粋）：
ゲートとソースとドレインとの電極を有するパワーMOSFETスイッチ(Q1)に対するゲートドライブおいて、パワーMOSFETスイッチを駆動するために、ドライブ電圧を接続されるドライブ回路に供給するため接続される2次巻きを含むドライブトランス(T1)を有し、このドライブ回路においては、ゲートとソースとドレインとの電極を有するドライブMOSFET(Q1)を含み、2次巻きに応答するために接続され、パワーMOSFETスイッチのゲート-ソース電圧を制御するために、そのドレイン-ソースが接続され、パワーMOSFETスイッチの疑似ターンオンを防止するため、ドライブMOSFET素子のドレイン-ソースをパワーMOSFETのゲート-ソースに接続するバイアス回路(C1、CR4)は極性の電圧差分を提供することを特徴とするパワーMOSFETスイッチのゲートドライブ。
引用特許：
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