特許
J-GLOBAL ID:200903041592992462

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-009209
公開番号(公開出願番号):特開平11-214617
出願日: 1998年01月21日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】 急激な消費電流の変動があっても安定して、かつ低ノイズで降圧電源を供給する。【解決手段】 半導体集積回路装置の周辺回路などに降圧電源を供給する降圧電源回路1において、スタンバイモードが解除された場合、制御信号SMがHi信号となりスイッチSW1がOFF、スイッチSW2がONとなり、ノードaは電源電圧VCCからグランド電位VSSに切り換えられるが、このゲートの寄生静電容量CK によって、ノードaの電圧は、急激にではなく徐々にグランド電位VSSのレベルまで下降することになる。よって、スタンバイモードが解除された直後のノードaにおける電圧は高いのでトランジスタT5のON抵抗は小さくなっており、急激に消費電流ICCが増加してもトランジスタT5にクランプされた降圧電圧VDL(ノードb)の電圧降下を大幅に小さくすることができる。
請求項(抜粋):
所定の電源電圧から降圧電圧を生成するクランプ用MOSトランジスタと、前記クランプ用MOSトランジスタのゲートに、制御信号に基づいて電源電圧または基準電位のいずれかを切り換えて入力するスイッチング手段と、前記スイッチング手段の接続が電源電圧から基準電位に切り替わった際に、前記クランプ用MOSトランジスタのゲートの電圧降下時間を遅延させる電圧遅延手段とよりなる降圧電源回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822

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