特許
J-GLOBAL ID:200903041593508327

電界効果トランジスタ増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-158309
公開番号(公開出願番号):特開平5-014081
出願日: 1991年06月28日
公開日(公表日): 1993年01月22日
要約:
【要約】【目的】 マイクロ波帯の広帯域FET増幅器を得る。【構成】 ソ-ス接地されたFET1と入力整合回路13と出力整合回路14とを有するFET増幅器において、上記FET1のゲ-ト端子に直列のインダクタンスが含まれる場合、上記FET1のゲ-ト端子と接地間に、上記ゲ-ト端子にインダクタを介して、それぞれ長さが1/8波長の開放スタブ5と短絡スタブ6よりなる並列共振回路と、抵抗との直列回路を設けるか、もしくは上記ゲ-ト端子に直列のインダクタを介して、抵抗と長さが1/8波長の開放スタブ5よりなる直列回路と、抵抗と長さが1/8波長の短絡スタブよりなる直列回路との並列回路を設けて構成したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
ソ-ス接地された電界効果トランジスタと入力整合回路と出力整合回路とを有する電界効果トランジスタ増幅器において、上記電界効果トランジスタのゲ-ト端子にインダクタンスが含まれる場合、上記ゲ-ト端子と接地間に、上記ゲ-ト端子に直列のインダクタを介して、それぞれ長さが1/8波長の開放スタブと短絡スタブよりなる並列共振回路と、抵抗との直列回路を設けるか、もしくは上記ゲ-ト端子に直列のインダクタを介して、抵抗と長さが1/8波長の開放スタブよりなる直列回路と、抵抗と長さが1/8波長の短絡スタブよりなる直列回路との並列回路を設けて構成したことを特徴とする電界効果トランジスタ増幅器。
IPC (2件):
H03F 3/60 ,  H03F 1/42
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭55-150601
  • 特開平3-211904
  • 特開昭62-213307
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