特許
J-GLOBAL ID：200903041593819624
熱処理装置と熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349893
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188238
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】縦型熱処理装置で、半導体ウェーハに熱酸化膜を形成する場合、主面が間隔をあけて対向保持される複数のウェーハを、高温の反応管内に挿入し、反応ガスを導入、酸化膜を形成する。この時、ウェーハの保持位置の違いによりまたウェーハ間に存在する残留大気により、酸化膜の均一性が悪く、膜質が劣化する課題が生じる。【構成】反応管を二重構造とし、外管と内管との間に反応ガス通路空間を設ける。外管壁面の複数の導入口より反応ガスを通路空間に導入し、内管壁面の複数の噴出口より反応ガスをウェーハ主面に吹き付ける。通路空間の緩衝作用により噴出口からの反応ガスの流量は均一となる。またウェーハを内管に挿入する際、保持されたウェーハの横から一方向に反応ガスを吹き付けることにより、ウェーハ間の残留大気を除去する。
請求項（抜粋）：
内管及び外管より成る二重構造の反応管と、半導体ウェーハ主面が反応管の長手方向の管軸に対して垂直でかつ互いに空隙を介して対向保持される被処理ウェーハ保持治具と、反応ガスを反応管に導入する反応ガス導入管と、内管及び外管とによってつくられる反応ガス通路空間と、反応ガス通路空間の外管の壁面に設けられ反応ガス導入管と連通する反応ガス導入口と、反応ガス通路空間の内管の壁面に設けられ内管内に保持される半導体ウェーハの主面に反応ガスを吹き付ける反応ガス噴出口と、内管の壁面に設けられ内管内の反応ガスを反応管外に排出する排出口あるいはこの排出口と外管の壁面に設けられ内管内の反応ガスを内管壁面の反応ガス流出口及び反応ガス通路空間を経由して反応管外に排出する排出口とを具備することを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
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