特許
J-GLOBAL ID:200903041593861027

色素増感系乾式光電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小倉 亘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-137557
公開番号(公開出願番号):特開平9-306554
出願日: 1996年05月08日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【目的】 多孔質化合物半導体層の細孔内部にまで酸化還元層が良好な接合性で均一に形成された色素増感系光電池を得る。【構成】 金属アルコキシド1モルに対して溶媒15〜30モル,H+ 0.01〜0.05モル及び水1〜5モルを混合したゾル液に電解質及び酸化還元物質を添加し、混合から10時間以上経過した時点でゾル液をスピンコート法で多孔質TiO2 層を形成した基板に塗布し、塗布後の基板を乾燥雰囲気中で室温に保持してゲル化反応を進行させ、生成した薄膜が必要厚みに成長するまでスピンコート及びゲル化を繰り返す。酸化還元物質としては、I3-/I- ,Fe3+/Fe2+,,Sn2+/Sn4+,Cu+ /Cu2+,Hg+ /Hg2+,V2+/V3+,Cr2+/Cr3+,Pb2+/Pb4+等が使用される。
請求項(抜粋):
金属アルコキシド1モルに対して溶媒15〜30モル,H+0.01〜0.05モル及び水1〜5モルを混合したゾル液に支持電解質及び酸化還元物質を添加し、混合から10時間以上経過した時点でゾル液をスピンコート法で多孔質化合物半導体層を形成した透明導電体基板に塗布し、塗布後の基板を乾燥雰囲気中で室温に保持してゲル化反応を進行させ、生成した酸化還元層の薄膜が必要厚みに成長するまでスピンコート及びゲル化を繰り返し、次いで基板と反対側に対極を設ける色素増感系乾式光電池の製造方法。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

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