特許

J-GLOBAL ID：200903041596097409

半導体装置

発明者： 南 ふゆみ
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 葛野 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197552
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041405
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 集積回路で、各トランジスタのサイズを変更しないで異なる特性のトランジスタを得る。【解決手段】 ゲート酸化膜の上に形成されたゲート電極をマスクとした薄い濃度のN型不純物のイオン注入による拡散層と、ゲート電極およびサイドウォールをマスクとした濃い濃度のN型不純物のイオン注入による拡散層と、この両者を注入した拡散層との、3種類の拡散層の組み合わせにより、異なる特性を有する複数のNチャネルMOSトランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

第1の不純物のイオン注入と拡散によって形成される第1の不純物層と、第2の不純物のイオン注入と拡散によって形成される第2の不純物層と、前記第1および第2の不純物のイオン注入と拡散によって形成される第3の不純物層との3種類の不純物層が、それぞれいずれかのトランジスタのソース又はドレインに用いられて複数のトランジスタが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/08 102 B ,  H01L 21/265 S ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 301 S