特許
J-GLOBAL ID:200903041596185324

配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 近島 一夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-344157
公開番号(公開出願番号):特開平10-186389
出願日: 1996年12月24日
公開日(公表日): 1998年07月14日
要約:
【要約】【課題】 1回のエッチングで配線パターンを形成でき、かつガラス基板と銅との良好な密着力を得ることのできる配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子を提供する。【解決手段】 補助電極10の主導電部10cを銅にて形成すると共に透光性基材6の表面と主導電部10cとの間に、高分子系樹脂膜10aと、この高分子系樹脂膜10aの表面にニッケル又はニッケル合金からなる金属製密着膜10bとを形成することにより、1回のエッチングで配線パターンを形成できると共に、銅と透光性基材6との密着力を増加させることができるようにする。また、銅の表面に、ニッケル又はニッケル合金からなる金属製保護層10dを形成することにより、銅の耐食性を向上させることができるようにする。
請求項(抜粋):
透光性基材の表面に形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電極とを有する配線基板において、前記補助電極の主導電部は銅から成り、前記透光性基材の表面と前記主導電部との間に高分子系樹脂膜及び該高分子系樹脂膜と前記主導電部との間に設けられたニッケル又はニッケル合金からなる膜とを有することを特徴とする配線基板。
IPC (3件):
G02F 1/1343 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/38
FI (3件):
G02F 1/1343 ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/38 A

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