特許

J-GLOBAL ID：200903041596509847

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： 遠藤 剛 ,  竹内 有一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357448
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158267
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素を用いた半導体装置の電極取り出し部においてp型領域のコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】 炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板1と、半導体基板1の主表面上に形成された炭化珪素エピタキシャル層2と、炭化珪素エピタキシャル層2の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域3と、ベース領域の表層部の所定領域に形成され、ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域4と、ベース領域あるいはソース領域のうちp型半導体からなる領域の表面上に選択エピタキシャル成長により形成されたp型半導体からなる選択エピ層7と、選択エピ層と、ベース領域あるいはソース領域のうちn型半導体からなる領域との双方に接触するように形成された取り出し電極8とを設ける。選択エピ層は3Cの炭化珪素から構成する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなり、p型半導体領域(3、22)が形成された半導体基板(1、20)と、前記p型半導体領域の表面上に選択エピタキシャル成長により形成されたp型半導体からなる選択エピ層(7、23)と、少なくとも前記選択エピ層に接触するように形成された取り出し電極(8、24)とを備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/91 F