特許

J-GLOBAL ID：200903041609019186

処理システム

発明者： 上田 一成
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136733
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331907
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 システム環境を形成するためのコストを削減することができる処理システムを提供すること。【解決手段】 ウェハW上に反射防止膜を塗布するための処理が行われる第1のブロックB1及びウェハW上にレジスト膜を塗布するための処理が行われる第2のブロックB2では、温度及び湿度を制御するための温湿度調整器81を介してその上部よりダウンフローの清浄エアーが供給され、露光されたレジスト膜を現像するするための処理が行われる第3のブロックB3では、温度だけを制御するための温度調整器83を介してその上部よりダウンフローの清浄エアーが供給され、ブロック間でウェハWを搬送することが実行される第4のブロックB4では、直接ダウンフローの清浄エアーが供給されるようになっている。

請求項（抜粋）：

基板上に反射防止膜を塗布するための処理が行われる第1のブロックと、基板上にレジスト膜を塗布するための処理が行われる第2のブロックと、露光されたレジスト膜を現像するするための処理が行われる第3のブロックと、これらブロック間で基板を搬送することが実行される第4のブロックとに区分され、前記第1及び第2のブロックについては温度及び湿度を制御し、前記第3のブロックについては温度を制御し、前記第4のブロックについては温調しないことを特徴とする処理システム。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502

FI (5件)：

H01L 21/30 564 C ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/30 569 D

Fターム (10件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025EA04 ,  2H025FA14 ,  2H096AA25 ,  2H096CA12 ,  2H096GA24 ,  5F046JA24 ,  5F046LA13 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-065218   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• レジスト塗布装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-031248   出願人：東京エレクトロン株式会社