特許

J-GLOBAL ID：200903041609967173

プラズマ処理装置

発明者： 小栗 裕之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-303652
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144928
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 搬送系を有するプラズマ処理装置に関し、半導体基板を均一に処理することを目的とする。【構成】 装置内に反応ガスを供給する手段と、反応ガスを排気して装置内を一定の真空度に保つ排気手段と、半導体基板を搬送系を用いて搬送して下部電極上に位置決めする手段と、下部電極に対向して設けられている上部電極との間に高周波電界を印加してプラズマを発生させる手段とを備えて設けられている処理装置において、半導体基板の下側電極への搬入と搬出用に下部電極を通して設けられているホイストピンを絶縁物を用いて形成することを特徴としてプラズマ処理装置を構成する。

請求項（抜粋）：

装置内に反応ガスを供給する手段と、反応ガスを排気して装置内を一定の真空度に保つ排気手段と、半導体基板を搬送系を用いて搬送して下部電極上に位置決めする手段と、該下部電極に対向して設けられている上部電極との間に高周波電界を印加してプラズマを発生させる手段とを備えて設けられている処理装置において、前記半導体基板の下側電極への搬入と搬出用に下部電極を通して設けられているホイストピンを絶縁物を用いて形成することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31