特許

J-GLOBAL ID：200903041612485287

光電変換機能素子

発明者： 花房 幹夫 ,  佐藤 賢次 ,  荒川 篤俊
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295007
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119070
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりpn接合を形成し、強度が高く、かつ安定した光を発光する光電変換機能素子を提供する。【解決手段】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、基板とは異なる導電性を示す拡散源を基板表面に配置して拡散によりpn接合を形成し、該基板の両面に電極を設けてなる光電変換機能素子であって、前記化合物半導体結晶基板のキャリア濃度を1×1017cm-3から5×1018cm-3とした。

請求項（抜粋）：

周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、基板とは異なる導電性を示す拡散源を基板表面に配置して拡散によりpn接合を形成し、該基板の両面に電極を設けてなる光電変換機能素子であって、前記化合物半導体結晶基板はキャリア濃度が1×1017cm-3から5×1018cm-3であることを特徴とする光電変換機能素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/48 ,  C30B 31/02 ,  H01L 21/365 ,  H01S 5/327

FI (5件)：

H01L 33/00 D ,  C30B 29/48 ,  C30B 31/02 ,  H01L 21/365 ,  H01S 5/327

Fターム (35件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BB07 ,  4G077BE34 ,  4G077BE35 ,  4G077FC04 ,  5F041AA04 ,  5F041AA09 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA72 ,  5F041CA91 ,  5F041CB03 ,  5F041CB06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB22 ,  5F045AF06 ,  5F045AF16 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA60 ,  5F045HA06 ,  5F045HA10 ,  5F045HA16 ,  5F045HA20 ,  5F073CA22 ,  5F073CB14 ,  5F073EA05 ,  5F073EA15 ,  5F073EA24 ,  5F073HA10