特許

J-GLOBAL ID：200903041612779302

光起電装置の製造方法

発明者： 卜部 恭一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164763
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013795
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】CdS薄膜層4と接合を形成するCuInSe2 薄膜層3を、Cu, In薄膜層重畳後セレン化法で作成する際に、従来用いられていた有毒なH2 Seガスの使用を不必要にする。【構成】基板1上に電極層2, Cu薄膜層7, In薄膜層8を重畳したのち、セレン化合物、例えばセレン化アンモニウムの溶液に接触させることによってその上にSe薄膜層9を形成し、次いで加熱することによりCuInSe2 層3を得る。セレン化合物溶液にはセレン化ナトリウム溶液を用いることもできる。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面層が導電性である基板上にI族元素およびIII族元素の薄膜層を重畳して形成したのち、その層の上にセレン化合物溶液を接触させ、次いで加熱することによって得られたI-III -VI族化合物でVI族元素がセレンである半導体層を用いて接合を形成することを特徴とする光起電装置の製造方法。