特許

J-GLOBAL ID：200903041616207400

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 森 日出樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284774
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135344
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 バイポーラトランジスタの拡散層やベース電極と同一工程では、寄生容量が小さく且つ低抵抗な下部電極を得ることができない。【解決手段】 素子分離領域18が設けられた半導体基板10上に、Si-Ge層21及びシリコン層22を順に成膜し、シリコン層22をパターニングしてバイポーラトランジスタのエミッタ領域22aを形成する。次に、Si-Ge層21をパターニングして、バイポーラトランジスタのベース領域21aを形成すると共に、素子分離領域18上に抵抗体21b及び容量素子の下部電極21cを形成する。これによって、バイポーラトランジスタのベース領域21aと抵抗体21bと容量素子の下部電極21cとを同一工程で形成してなる半導体装置を得る。上記容量素子は素子分離領域上に設けられることから寄生容量が小さくなり、下部電極21cはSi-Ge層21で構成されることから抵抗値が低くなる。

請求項（抜粋）：

シリコンからなる半導体基板の表面側における素子分離領域上に容量素子を設けてなる半導体装置において、前記容量素子の下部電極は、シリコンよりもキャリア移動度が高い半導体膜からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 27/04 C