特許

J-GLOBAL ID：200903041624119030

結晶質皮膜を結晶質基板に沈積する方法および装置

発明者： ジューゲンゼン、ホルガー
出願人/特許権者： アイクストロン、アーゲー
代理人 (3件)： 小島 高城郎 ,  河合 典子 ,  佐藤 卓也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-554952
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513793
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも1つの結晶質半導体基板の沈積する方法を改善し、それを実施する装置を提供する。【解決手段】 本発明は、多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも1つの結晶質半導体基板の沈積する方法に関するもので、反応炉(1)の処理室(2)にガス導入装置(7)によってガス状の初期物質が導入され、ガス状の初期物質は必要な場合には化学的なガス相反応および/または表面反応の後、処理室の基板保持器(5)に配置されている半導体基板の表面に、半導体皮膜を形成するよう沈積され、半導体皮膜および半導体基板に、V基の1つ以上の元素、IIIおよびV基の元素、またはIIおよびVI基の元素の何れかの結晶を形成させ、このとき第一の処理ステップにおいて、1つ以上の第1の初期物質で構成される第1の処理ガスが、第1の半導体皮膜を沈積するため処理質に導入され、その処理ガスの分解生成物が第1の皮膜の結晶を形成し、さらに第1の半導体皮膜に添加を行うため、少量の別の初期物質を処理室に導入することができる。ここで、第1の処理工程の前または後の第2の処理工程において、第2の半導体皮膜を沈積するため、第2の初期物質および場合によってはさらに別のガスを含有する第2の処理ガスを同じ処理室導入し、その分解生成物で第1の皮膜の結晶と異なる結晶を備えた第2の半導体皮膜を形成し、第2の半導体皮膜に添加するため少量の第1の初期物質を処理室に導入できるようにすることが提案されている。

請求項（抜粋）：

多数の結晶質半導体皮膜を、少なくとも1つの結晶質半導体基板の沈積する方法で、反応炉(1)の処理室(2)にガス導入装置(7)によってガス状の初期物質が導入され、ガス状の初期物質は必要な場合には化学的なガス相反応および/または表面反応の後、処理室の基板保持器(5)に配置されている半導体基板の表面に、半導体皮膜を形成するよう沈積され、半導体皮膜および半導体基板に下記の結晶の何れかが形成させる、 (a.)V-基の1つ以上の元素 (b.)III-基およびV-基の元素、または (c.)II-基およびVI-基の元素 このとき、第一の処理工程において、1つ以上の第1の初期物質で構成される第1の処理ガスが、第1の半導体皮膜を沈積するため処理室に導入され、その処理ガスの分解生成物が第1の皮膜の結晶を形成し、さらに第1の半導体皮膜に添加を行うため、少量の第2の初期物質を処理室(2)に導入することができる方法において、 第1の処理工程の前または後の第2の処理工程において、第2の半導体皮膜を沈積するため、第2の初期物質および場合によってはさらに別のガスを含有する第2の処理ガスを同じ処理室導入し、その分解生成物で第1の皮膜の結晶と異なる結晶を備えた第2の半導体皮膜を形成し、第2の半導体皮膜に添加するため少量の第1の初期物質を処理室に導入できるようにすることを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (14件)：

5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB10 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10