特許

J-GLOBAL ID：200903041632987009

磁気抵抗効果ヘッド、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置

発明者： 林 一彦 ,  中田 正文 ,  大橋 啓之 ,  石綿 延行 ,  深見 栄三 ,  永原 聖万 ,  本庄 弘明 ,  斉藤 信作 ,  藤方 潤一 ,  石原 邦彦 ,  森 茂 ,  柘植 久尚 ,  上條 敦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160728
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052316
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 作成が容易でセンス電流がバリア層をバイパスすることのない、磁気抵抗効果ヘッド、その製造方法、及びこの磁気抵抗効果ヘッドを用いた磁気記録装置を提供する。【解決手段】 フリー層2、バリア層3、固定層4及び固定する層5を基本構成とするMTJ膜を用いた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、固定層4及び固定する層5を構成する金属材料を酸化若しくは窒化させることにより得られる酸化層・窒化層1を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

フリー層とこのフリー層上に形成されたバリア層とこのバリア層上に形成された固定層、もしくは、固定層とこの固定層上に形成されたバリア層とこのバリア層上に形成されたフリー層、のうちのいずれかを基本構成とする強磁性トンネル接合膜を用いた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、強磁性トンネル接合膜パターン内部に、強磁性トンネル接合膜を構成する金属材料の酸化物もしくは窒化物が存在することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12