特許
J-GLOBAL ID：200903041639157893
半導体電力増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-271154
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139542
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 RF入力電力の広い範囲に亘って、歪が小さく、そして高効率の半導体電力増幅器を提供すること。【構成】 信号が入力されるゲート電極Gおよび信号が出力されるドレイン電極D、そして接地されるソース電極Sを有する電界効果トランジスタ11と、この電界効果トランジスタのゲート電極にバイアス電圧を供給し、内部に抵抗Rを含むバイアス回路14とを具備した半導体電力増幅器において、電界効果トランジスタのゲート電極に接続され、かつ、入力信号の電力の大きさに対応した電流をバイアス回路の抵抗Rに流す電流回路18を設けている。
請求項（抜粋）：
信号が入力される第1の電極および信号が出力される第2の電極、そして接地される第3の電極を有する半導体増幅素子と、この半導体増幅素子の前記第1の電極にバイアス電圧を供給し、内部に抵抗を含むバイアス回路とを具備した半導体電力増幅器において、前記半導体増幅素子の前記第1の電極に接続され、かつ、入力信号の電力の大きさに対応した電流を前記バイアス回路の抵抗に流す電流回路を設けたことを特徴とする半導体電力増幅器。
IPC (4件)：
H03G 5/16
, H03F 1/02
, H03F 3/21
, H03F 3/60
