特許

J-GLOBAL ID：200903041641401734

半導体装置の製造方法

発明者： 西本 佳嗣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235040
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体層に含まれるシリコン未結合を効率的かつ十分に水素化することを第1の目的とし、水素雰囲気下での数回にわたる熱処理によっても、表面からの水素の流入を可能にし、いったん水素化された半導体層の水素化の度合が低下することを有効に防止することを第2の目的とする。【構成】 TFTを構成する半導体層6を、水素ラジカルが存在する雰囲気下で、熱処理することにより、半導体層6の水素化処理を行う。また、TFTを構成する半導体層6の表面に、層間絶縁層14,16を成膜し、この層間絶縁層14,16の表面にプラズマCVD法で窒化シリコン層を成膜し、その後、水素を含むガス中で半導体装置を熱処理することにより、半導体層6の水素化処理を行い、その後、少なくとも半導体層6におけるチャネル領域10の上部に位置する窒化シリコン層を除去する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタなどが形成される半導体層を有する半導体装置を製造する方法において、上記半導体層を、水素ラジカルが存在する雰囲気下で、熱処理することにより、半導体層の水素化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 27/10 381