特許
J-GLOBAL ID：200903041647481454

CMOS半導体素子及びその製造方法

発明者：
丁 英洙

丁 英洙 について

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丁 炯▲スク▼

丁 炯▲スク▼ について

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許 成

許 成 について

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白 賢錫

白 賢錫 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-041889
公開番号（公開出願番号）：特開2008-219006
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】デュアルメタルゲートCMOS半導体素子を提供する。【解決手段】金属窒化物層及び多結晶シリコンキャッピング層を備え、nMOS領域及びpMOS領域の金属窒化物層は同種物質で形成され、相異なる不純物含有量により相異なる仕事関数を持つデュアルメタルゲートCMOS半導体素子。同種の金属窒化物層によりメタルゲートを形成するので、工程が単純化して収率が向上すると共に、高性能のCMOS半導体素子を得ることができる。【選択図】図9H
請求項（抜粋）：
nMOS領域及びpMOS領域を持つCMOS半導体素子において、 前記nMOS領域及びpMOS領域には、poly-Siキャッピング層及びこの下部の金属窒化物層を備えるゲートがそれぞれ設けられ、 前記nMOS領域及びpMOS領域の各ゲートの下部にはゲート絶縁層が設けられ、 前記nMOS領域及びpMOS領域の金属窒化物層は同種物質で形成され、各領域の金属窒化物層は不純物濃度差による相異なる仕事関数を持つことを特徴とするCMOS半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301G
Fターム (49件)：
4M104AA01 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD45 ,  4M104DD64 ,  4M104DD94 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BG11 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF20 ,  5F140BF38 ,  5F140BG19 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG41 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許6,727,130号明細書
  • 米国特許公開2004-0023478号公報
審査官引用 (6件)
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