特許

J-GLOBAL ID：200903041650405998

集積回路の製造方法及び集積回路の製造に用いられる中間製品及び永久的に改造可能な集積回路

発明者： 岡崎 元哉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271186
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213469
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】ヒューズ素子を組み入れた集積回路を製造する際、2つのフォトリソグラフィ工程及び別個の層や導伝材を不要にすることを目的とする。【解決手段】カスタム化できる集積回路15は、ヒューズ素子19及びコンタクトパッド21と、絶縁層23中で同素子及びパッド上まで達する窓31,33とを有する。コンタクトパッド上の窓33はこのパッドまで達し、表面を露出させる。ヒューズ素子上の窓31は、この素子には到達せず、ヒューズ素子は絶縁体の薄膜で覆われている。同素子及びパッドは基板の同一面上に形成され、単一のフォトリソグラフィ法転写工程で同時に形成される。少なくとも1つの狭い幅のレジスト開孔をヒューズ素子上に配置することにより、一回のエッチング工程で、異なる深さの窓を同素子及びパッドの上に形成する。ヒューズ素子部のエッチング速度は、マイクロローディング効果によってコンタクトパッド部よりも遅くなる。

請求項（抜粋）：

ヒューズ素子とコンタクトパッドとを含む集積回路を形成する方法において、ヒューズ素子とコンタクトパッドとを有する回路パスを基板上に形成する工程と、前記回路パスの少なくとも一部を絶縁層で覆う工程と、前記ヒューズ素子の上方に第1の開孔が配置され、前記コンタクトパッドの上方に第2の開孔が配置されたレジスト層パターンを前記絶縁層上に形成する工程と、前記第1及び第2の開孔により前記絶縁層をエッチングして、ヒューズ素子の上に第1の窓を、コンタクトパッドの上に第2の窓をそれぞれ形成する工程とを具備し、前記第1の開孔は絶縁層のエッチング速度が前記第2の開孔に比べて遅くなるように幅が十分に狭く、前記第1の開孔の幅が前記第2の開孔の幅に比べて狭いことにより、エッチング速度に変化が生じて深さの異なる窓が形成され、前記第1の窓はヒューズ素子に到達せずに、前記絶縁層の一部が薄膜としてヒューズ素子と第1の窓との間に残り、前記第2の窓はコンタクトパッドに達して前記コンタクトパッドを露出させることを特徴とする集積回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 P ,  H01L 27/04 E