特許

J-GLOBAL ID：200903041652123078

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 伊庭 智久 ,  友枝 光弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235768
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086600
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 ウェハテスト中にデバイスコードの書込/読出不良を検出することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 トップブートタイプのIDコードを書込むためのID用PROM2とボトムブートタイプのIDコードを書込むためのID用PROM3とを設け、2つのID用PROM2,3の出力コードのうちの一方を切換回路4で選択して出力する。したがって、IDコードをウェハテスト中に書込んでID用PROM2,3の不具合を検出できる。

請求項（抜粋）：

データの書換頻度が高いメインメモリブロックとデータの書換頻度が低いブートブロックとに分割されたメモリセルアレイを備え、前記ブートブロックのアドレスが前記メインメモリブロックのアドレスよりも上位に配置されたトップブートタイプと下位に配置されたボトムブートタイプとのいずれか一方に選択的に設定することが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、第1および第2のパッドを含み、前記第1または第2のパッドに活性化電位が与えられたことに応じて、前記不揮発性半導体記憶装置を前記トップブートタイプまたはボトムブートタイプに設定するための第1または第2の信号を出力する信号発生手段、前記不揮発性半導体記憶装置が前記トップブートタイプであることを示す情報を含む第1のデバイスコードを記憶するための第1のプログラマブルROM、前記不揮発性半導体記憶装置が前記ボトムブートタイプであることを示す情報を含む第2のデバイスコードを記憶するための第2のプログラマブルROM、外部から与えられた前記第1および第2のデバイスコードをそれぞれ前記第1および第2のプログラマブルROMに書込むための書込手段、および前記信号発生手段から出力された前記第1または第2の信号に従って、前記第1のプログラマブルROMから読出された前記第1のデバイスコードまたは前記第2のプログラマブルROMから読出された前記第2のデバイスコードを外部に出力する出力手段を備える、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 673 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 29/00 673 Z ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 631