特許

J-GLOBAL ID：200903041661910430

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小林 睦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265536
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078133
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 素子分離絶縁膜及びその側面上に形成される分離用サイドウォールに影響されることなく、所望の不純物濃度領域を形成する。【解決手段】 P型半導体基板1上に下地絶縁膜2、保護絶縁膜3を順次形成した後、レジスト膜4をマスクにして保護絶縁膜3のパターニングを行う。その後、レジスト膜4をマスクにして、砒素の斜めイオン注入30を行い、ソース・ドレイン用補足拡散領域10を形成する。その後、半導体基板1を所定の深さまでエッチングして分離溝5を形成する。このとき、保護絶縁膜3の端部下にはソース・ドレイン用補足拡散領域10が残存する。その後、CMPにより分離溝5内のみに素子分離絶縁膜6を形成する。その後、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びゲート用サイドウォールを形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成されたトレンチ分離型の素子分離領域と、前記素子分離領域に取り囲まれた前記半導体基板の活性領域と、前記活性領域に形成された複数の拡散領域とを備え、前記拡散領域は、前記活性領域の周辺側に前記素子分離領域に隣接して形成された補足拡散領域と、前記活性領域の内部側に前記補足拡散領域と重なるように形成された主拡散領域とで構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 R

Fターム (33件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA66 ,  5F032AA84 ,  5F032CA17 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA41 ,  5F032DA42 ,  5F032DA43 ,  5F032DA60 ,  5F032DA77 ,  5F032DA78 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BB12 ,  5F140BC01 ,  5F140BC07 ,  5F140BF18 ,  5F140BH11 ,  5F140BH12 ,  5F140BH40 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20