半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324745
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151450
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】横型PNP接合型トランジスタの集積度を向上する。【構成】半導体基板に埋込み絶縁層、絶縁部とによって基板から絶縁分離された素子領域を有する半導体装置において、素子に横型PNP接合型トランジスタが含まれ、P型エミッタ、P型コレクタ、およびN型ベースの電極がこの順番で直線的に配置され、エミッタの回りをコレクタが囲んだ構造ではない、エミッタとコレクタの活性層が絶縁部と接触した構造であることを特徴とする。図1で、シリコン半導体基板101 の上に埋込み絶縁層102 が形成されており、トレンチ絶縁部103 が素子部104 を基板から絶縁している。本発明により、従来の約15% の面積で一つの横型PNP接合型トランジスタが構成できた。

請求項（抜粋）：

半導体基板に埋込み絶縁層が形成され、前記埋込み絶縁層と、基板表面から前記埋込み絶縁層にまで至る絶縁部とによって前記半導体基板から絶縁分離された素子領域を少なくとも一つ有する半導体装置において、前記素子領域には横型PNP接合型トランジスタが含まれ、該横型PNP接合型トランジスタは、前記エミッタの活性層と前記コレクタの活性層とが前記ベース層内に形成され、前記エミッタの活性層と前記コレクタの活性層とが前記絶縁部に接触した構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-286359
特開平2-027734
特開平3-030450

全件表示

前のページに戻る