特許

J-GLOBAL ID：200903041672105718

透明導電膜作製方法及び透明導電膜作製装置

発明者： 田中 正治
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287084
公開番号（公開出願番号）：特開平5-098429
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：

【要約】【目的】ITOもしくはインジウム/スズ合金のターゲットによる透明導電膜の作製を、レーザービームスパッタ法により従来の成膜法よりは容易にかつ大きい速度で、ターゲットの利用効率も良く行なえるようにする。【構成】 真空容器1のy方向移動とターゲット8のx方向小移動を繰り返し、かつ被処理基板20を回転させながら、ターゲット8の表面にレーザー光3を万遍なく照射させる。また酸素を主とする活性化したプラズマガスPの照射を行なって、酸素欠損を気相状態で補いながらレーザー光3によってターゲット8の表面からターゲット物質を瞬時に蒸発、気化させ、ほぼそのターゲット組成を保ったまま被処理基板20に到達させてITO薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空容器、真空排気系、イオン源、ガス導入系及びレーザー光源からなる透明導電膜作製装置において、ITOもしくはインジウム/スズ合金のターゲットに対向させて被処理基板を配置し、上記レーザー光源から射出するレーザー光によって上記ターゲット表面の物質をレーザービームスパッタ法によって蒸発させると共に、上記イオン源により酸素イオンを主とするプラズマイオンを上記被処理基板に照射して上記被処理基板上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜作製方法。